Пироэлектрические свойства и дефекты структуры слоистого кристалла TlInS2, легированного лантаном
M.-H.Yu Seyidov, А.П. Одринский, R.A. Suleymanov, E. Acar, Т.Г. Мамедов, В.Б. Алиева, 2014-06-12
Photo - Induced Current Transient Spectroscopy of TlInS2 Layered Crystals Doped by Er, B and Tb Impurities
MirHasan Yu. Seyidov, Rauf A. Suleymanov, Andrey P. Odrinsky, Arzu I. Nadjafov, Tofik G. Mammadov, Elnure G. Samadli, 2011-05-16
Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия сегнетоэлектрика-полупроводника TlGaSe2
А.П.Одринский, 2014-02-16
Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия глубоких уровней в монокристаллах CdS с заданными в процессе роста отклонениями от стехиометрии
О.Ф. Вывенко, И.А. Давыдов, А.П. Одринский, В.А. Теплицкий, 1994-05-16
Критический анализ исследования ГУ в высокоомных монокристаллах CdS методом PICTS
А.П. Одринский, 2004-03-16
Влияние концентрации хрома в полуизолирующей подложке ПТШ на время восстановления при воздействии импульсной помехи (Chrome concentration in MESFET substrate effect on relaxation time under exposure of pulse interference )
А.М.Бобрешов, И.С.Коровченко, Ю.Ю.Разуваев, Г.К.Усков, Д.А.Шацкий, 2008-09-21
Моделирование деградационных процессов в полевом транзисторе под воздейстием импульсных помех большой амплитуды (Modeling the process of degardation of GaAs MESFET`s under exposure of pulses whith big amplitude)
А.М. Бобрешов, Г.К. Усков, И.И. Мещеряков, И.С. Коровченко (A.M. Bobreshov, G.K. Uskov, I.I. Mescheriacov, I.S. Korovchenko), 2006-06-00
