Антон Глотов » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2009-04-04 Опубликовано на SciPeople2012-04-04 11:31:07 ЖурналSemiconductors


Phase formation under the effect of spinodal decomposition in epitaxial alloys of GaxIn1-xP/GaAs(100) heterostructures
E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, A. V. Glotov [et al.] / Антон Глотов
Semiconductors. – 2009. – V.43. – Pp. 1221–1225.
Аннотация The effect of instability of alloys of GaxIn1 – xP/GaAs(100) semiconductor epitaxial heterostructures in the composition region x ≈ 0.50 is studied by Xray diffraction and electron microscopy. The possibility of emergence of modulated relaxation structures on the surface of a GaxIn1 – xP alloy is shown. This phenomenon is accompanied by the emergence of satellites of main Xray reflections corresponding to a singlephase structure.
Ключевые слова публикации:
 
Показать статистику
Похожие публикации

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален