Антон Глотов » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2009-04-30 Опубликовано на SciPeople2010-09-19 08:46:53 ЖурналФизика и техника полупроводников

Структурные и оптические свойства низкотемпературных МОС–гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100) на основе твердых растворов вычитания

А.В. Глотов, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.] / Антон Глотов

Физика и техника полупроводников, 2009, том 43, вып. 12

Аннотация Методами рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии и ИК-спектроскопии на отражение изучены свойства эпитаксиальных МОС-гидридных гетеро-структур AlxGa1-xAs/GaAs(100), выращенных при пониженных температурах. Установлено, что изменение параметра кристаллической решетки твердых растворов AlxGa1-xAs от концентрации Al не подчиняется классическому закону Вегарда, а значения параметров меньше чем у GaAs.