Антон Глотов » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2009-09-04 Опубликовано на SciPeople2012-04-04 12:32:21 ЖурналФизика и техника полупроводников


Фазообразование под воздействием спинодального распада в эпитаксиальных твердых растворах гетероструктур GaxIn1-xP/GaAs(100)
А.В. Глотов, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.] / Антон Глотов
Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т.43.- №9. – С. 1261–1266.
Аннотация Методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии изучено явление неустойчивости твердых растворов полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур Gax In1−x P/GaAs(100) в области составов x ≈ 0.50. Показана возможность появления модулированных релаксационных структур на поверхности твердого раствора Gax In1−xP, вследствие чего появляются сателлиты основных рентгеновских рефлексов, соответствующих однофазной структуре.
Ключевые слова публикации:
 
Показать статистику
Похожие публикации

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален