Антон Глотов » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2009-01-22 Опубликовано на SciPeople2010-10-08 16:18:40 ЖурналВестник Воронежского государственного университета

Влияние буферного пористого слоя GaAs и легирования диспрозием в гетероструктурах GaInP:Dy/por-GaAs/GaAs(100)

П.В. Середин, Домашевская Э.П, Гордиенко Н.Н, Глотов А.В., Журбина И.А., И.Н Арсентьев, М.В, Шишков / Антон Глотов

Вестник ВГУ, Серия: Физика, Математика. – 2008. – №1. – стр 88-92.

Аннотация В структурах с буферным пористым слоем остаточные внутренние напряжения, вызванные рассогласо- ванием параметров кристаллических решеток эпитаксиального твердого раствора GaInP и подложки GaAs, перераспределяются в пористый слой, который играет роль буфера и способствует исчезновению внутренних напряжений. Аналогичные воздействия на внутренние напряжения в структуре пленка–подложка оказывает легирование эпитаксиального слоя диспрозием.